报告题目：氧化物半导体电子结构研究与新材料开发
报告人：张洪良教授（biwn必赢）
报告时间：2020年4月24日 15:30
参与方式：本院学生：随会
其他听众：腾讯会议（会议号：702309884）
报告简介:
氧化物半导体由于其较宽的带隙、透明、稳定等特性，在当今蓬勃发展的平面显示、光伏、柔性透明电子器件等产业领域具有广泛应用。张洪良教授课题组的研究工作主要集中在氧化物半导体的能带结构、缺陷与掺杂行为、以及新材料的开发。在本报告中， 报告人将首先对氧化物半导体的光电性质及发展历程做简要回顾，然后介绍基于课题组对氧化铟(In2O3)电子结构的深刻认识，发现In2O3表面区域存在高迁移率的二维电子气。另一方面，大部分的氧化物半导体都是n型，P型半导体的匮乏极大制约着更新功能电子元器件的开发。限制P-型氧化物半导体的主要原因是氧化物价带顶部由强局域化的O 2p电子态构成，导致空穴有效质量大、迁移率低。本报告也将从能带调控的角度介绍通过引入过渡金属d轨道或Sn 5s2孤对电子与O 2p轨道进行杂化的策略来提高空穴迁移率，并将对当前p型氧化物半导体的研究进展进行总结和展望。
报告人简介:
厦门大学闽江特聘教授。牛津大学无机化学博士，新加坡国立大学凝聚态物理硕士，山东大学光电子科学与技术专业本科。主要从事金属氧化物薄膜外延制备，光电性质调控，以及结合同步辐射光电子能谱、X射线吸收谱和理论计算深刻认识金属氧化物的电子结构、掺杂和缺陷化学机制。在Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Nat. Commun., Phys. Rev. B, Adv. Mater.等发表论文100余篇。曾获台湾积体电路制造公司最佳国际研究生科研入围奖，剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship, 牛津大学Clarendon全奖。
Email: kelvinzhang@xmu.edu.cn
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