学 术 讲 座
报告题目：碳纳米管CMOS器件和集成电路技术：现状和挑战
报告时间：2020-12-19 10:00
报 告 人：张志勇 教授
北京大学
报告地点：卢嘉锡202报告厅
摘要：
集成电路的发展遇到了来自物理和技术上的严重挑战，现有先进技术节点CMOS技术发展成本越来越高，需要寻求新的发展模式。半导体碳纳米管具有优异的电学特性，是构建亚10纳米以下场效应晶体管的理想沟道材料。经过十年的前期研究，我们发展了一整套碳纳米管CMOS器件的无掺杂制备技术，在此基础上探索了碳基集成电路的性能潜力。研究结果表明，碳纳米管CMOS器件可以缩减到5纳米栅长，并在性能和功耗综合指标上较目前最先进的硅基CMOS器件具有10倍以上的优势，因此有可能为未来集成电路技术的发展提供一条新的技术途径。然而，碳基集成电路的实用化发展受制于材料、加工工艺、电路设计等若干关键技术环节，我们将针对晶圆级材料、大规模制备技术和器件结构优化等方面展开探索，初步提出完整的碳基集成电路实用化技术方案。
报告人简介：
张志勇，1999年获得南开大学学士学位，2002年获得中科院微电子所硕士学位，2006年获中科院物理所博士学位。现任北京大学信息科学技术学院教授，博士生导师。纳米器件物理与化学教育部重点实验室主任，电子系副主任，碳基电子学研究中心常务副主任，湖南省先进传感与信息技术研究院常务副院长。 主要从事碳基纳米电子学方面的研究，探索基于碳纳米管的MOS集成电路、传感器和其他新型信息器件技术，并推进碳基信息器件技术的实用化发展。在Science等学术期刊上发表SCI论文150余篇。部分工作获得中国高校十大科技进展、国家自然科学二等奖、中国科学十大进展。获得中国青年科技奖、茅以升北京青年科技奖。
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